投資要點
SiC碳化硅：產業化黃金時代已來；襯底為產業化突破的核心
1）高壓、高功率應用場景下性能優越,適用于600V以上高壓場景。http://www.hokkaido-lovers.com【慧博投研資訊】相同規格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，尺寸減小至原來1/10，導通電阻降低至原來1/100，總能損耗降低70%，能源轉換效率提高。http://www.hokkaido-lovers.com（慧博投研資訊）下游應用新能源車、充電樁、光伏、風電、軌道交通等領域。
2）受益新能源車爆發，SiC產業化黃金時代將來臨。Yole預計2026年SiC功率器件市場規模將達45億美元，2020-2026年CAGR=36%。新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅動，應用端：解決續航痛點。成本端：單車可節省400-800美元的電池成本?？蛻舳耍禾厮估溶嚻笙嗬^布局。目前特斯拉僅使用在主逆變器上、未來有進一步應用提升空間。
3）性價比是決定SiC器件大批量使用的關鍵，襯底制備為碳化硅性價比提升的核心。在碳化硅器件的成本占比當中：襯底、外延、器件分別占比46%、23%、20%。襯底為碳化硅降本的核心、也是技術壁壘最高環節，是未來SiC降本、大規模產業化推進的核心關鍵。
SiC襯底：新能源車+光伏需求潛力巨大；國內外差距逐步縮小、國產替代可期
1）市場空間：預計2025年新能源車+光伏逆變器市場需求達261億元，2021-2025年CAGR=79%。新能源車：目前單特斯拉Model 3/Y一年需求量就能消耗全球SiC晶圓絕大產能。我們測算如2025年SiC在新能源車滲透率達60%，預計6英寸SiC襯底需求達587萬片/年，市場空間達231億元。光伏逆變器：“大組件、大逆變器、大組串”時代，光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V以上，碳化硅功率器件有望成為標配。我們假設2025年碳化硅滲透率提升至50%，對應SiC襯底市場達30億元。行業核心瓶頸在于供給端不足。
2）競爭格局：國內外差距在逐步縮小，國產替代可期。目前海外龍頭（Wolfspeed、II-VI占據60%以上市場份額）已實現6英寸規?；?、向8英寸進軍。國產廠家（天岳先進、天科合達、晶盛機電、露笑科技等）以小尺寸為主、向6英寸進軍。但可觀測到，國內外差距正在縮小、且整體差距小于傳統硅基半導體。國內外差距已從過去的10-15年（4英寸）、縮小至5-10年以內（6英寸）。預計未來向8英寸進軍過程中，差距有望進一步縮小。
3）生產工藝：較硅基半導體難度大幅增加；長晶環節是關鍵。碳化硅襯底屬于技術密集型行業。核心難點在于：長晶工藝復雜（只有4H型等少數幾種是所需的晶型），生長速度慢（每小時僅能生長0.2-0.3mm，較傳統晶硅慢近百倍以上），產出良率低（硬度與金剛石接近，切磨拋難度大）?！爱a學研用”為國內碳化硅襯底發展的重要推進動力。國內高校和科研單位主要包括中科院物理所、山東大學、上海硅酸鹽所等。
4）行業趨勢：降本是產業化核心，向大尺寸延伸。目前6英寸SiC襯底價格在1000美金/片，數倍于傳統硅基半導體。未來降本方式包括：提升材料使用率（大尺寸化，由4英寸向6英寸、8英寸延伸）、降低制造成本（提升良率）、提升生產效率（更成熟長晶工藝）。
SiC襯底設備：與傳統晶硅差異較小，工藝調教為核心壁壘
主要包括：長晶爐、切片機、研磨機、拋光機、清洗設備等。與傳統傳統晶硅設備具一定相通性、但工藝難度更高。碳化硅襯底第三方設備廠商較少，企業更多為設備+制造一體化布局為主，便于將核心工藝機密掌握自己手里。設備+工藝聯合研發、形成互哺是關鍵。
投資建議
重點推薦：晶盛機電。重點關注上市公司：天岳先進、露笑科技、三安光電、東尼電子、天通股份、鳳凰光學、華潤微、天富能源等。關注非上市公司：天科合達、河北同光、山東爍科、瀚天天成、天域半導體、中科節能、泰科天潤等。
風險提示：研發進度不及預期風險；國際貿易爭端加劇風險。
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